半導(dǎo)體硅片的超聲波清洗機要求及配套的化學(xué)清洗工藝說明
0閱讀次數(shù)：3168發(fā)布日期：2021-02-27 作者：富怡達 關(guān)鍵詞：超聲波清洗機，噴淋清洗機
半導(dǎo)體硅片經(jīng)過不同工序加工后，其表面已受到嚴重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類：
A. 有機雜質(zhì)沾污： 可通過有機試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來去除。
B. 顆粒沾污：運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。
C. 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污。
硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類：一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。 另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。
硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進行清洗去除沾污。
a. 使用強氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
b. 用無害的小直徑強正離子（如H+）來替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。
c. 用大量去離水進行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。
自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開發(fā)出來，例如 ：
⑴ 美國FSI公司推出離心噴淋式化學(xué)清洗技術(shù)。
⑵ 美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術(shù)。
⑶ 美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學(xué)清洗技術(shù)（例Goldfinger Mach2清洗系統(tǒng)）。
⑷ 美國SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)（例M3304 DSS清洗系統(tǒng)）。
⑸ 曰本提出無藥液的電介離子水清洗技術(shù)（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術(shù)達到了新的水平。
⑹ 以HF / O3為基礎(chǔ)的硅片化學(xué)清洗技術(shù)。
目前常用H2O2作強氧化劑，選用HCL作為H+的來源用于清除金屬離子。SC-1是H2O2和NH4OH的堿性溶液，通過H2O2的強氧化和NH4OH的溶解作用，使有機物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除。由于溶液具有強氧化性和綜合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其變成高價離子，然后進一步與堿作用，生成可溶性綜合物而隨去離子水的沖洗而被去除。為此用SC-1液清洗拋光片既能去除有機沾污，亦能去除某些金屬沾污。SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡(luò)合性，能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡(luò)合物亦隨去離子水沖洗而被去除在使用SC-1液時結(jié)合使用兆聲波來清洗可獲得更好的效果。
微信二維碼
手機二維碼
